台积电28nm嵌入式MRAM

2018年12月05日  作者:Peter Clarke
Gyrfalcon Technology Inc.(一家位于加利福尼亚州Milpitas的初创公司)已经推出了两种机器学习处理器 – Lightspeeur 2801S和2803 ASICs – 具有非易失性内存选择。

Gyrfalcon首席科学家Lin Yang在 eeNews Europe 上接受电话采访时说,该公司可以在几年内扩展到​​机器学习处理器的模拟或混合信号实现。

成立于2017年的Gyrfalcon已将其数字ASIC交付给客户,零件编号中的28表示该芯片所使用的制造工艺节点。

2802将是2801/2803的非易失性存储器版本,它使用台积电(TSMC)的嵌入式磁性RAM制造工艺制成。杨说:“那是目前世界上最先进的MRAM技术。”

Gyrfalcon是利用MRAM的非易失性来增强功能还是通过MRAM提供大量的节省空间来增加内存预算还不清楚。2801和2803芯片基本相同,但2803中具有一些额外的电路来支持用于数据中心的PCIe卡上的多芯片阵列。

Gyrfalcon是台积电嵌入式MRAM的最早采用者之一。

台积电在提供嵌入式MRAM方面落后于竞争对手晶圆代工厂Globalfoundries和三星,但去年表示将在2018年提供嵌入式MRAM作为SoC的非易失性存储器选项(请参阅 报告:台积电将于2019年提供嵌入式ReRAM)。

三星和Globalfoundries分别一直在28nm CMOS和22nm FDSOI工艺上提供eMRAM,但可能会被台积电超越,后者计划在2019年提供ReRAM非易失性存储器,然后将嵌入式MRAM和嵌入式ReRAM都移至22nm FinFET。处理。

Gyrfalcon也有超越数字技术的雄心。杨说:“模拟实现是功率和速度的一种选择。” 他说,这最有可能发生在成功的数字机器学习处理器的背后。“然后我们可以重新优化模拟,但灵活性会降低。” Yang总结说,数字技术提供了灵活性,但某些应用甚至可能在两年内实现模拟技术。

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www.gyrfalcontech.ai